IRF7463
1000
100
VGS
TOP    15V
10V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.0V
1000
100
VGS
TOP    15V
10V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.0V
10
1
10
2.0V
0.1
2.0V
0.01
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
1             10            100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
1
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
1             10            100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000.00
2.0
I D = 14A
100.00
10.00
1.00
T J = 150°C
T J = 25°C
VDS = 15V
1.5
1.0
0.5
0.10
2.0
20μs PULSE WIDTH
2.5      3.0      3.5      4.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
4.5
V GS = 10V
0.0
-60 -40 -20 0 20  40  60  80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 4. Normalized On-Resistance
www.irf.com
Vs. Temperature
3
相关PDF资料
IRF7464TR MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
IRF7466TR MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
IRF7467TRPBF MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
IRF7467TR MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
IRF7468PBF MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
IRF7468TR MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
IRF7478QTRPBF MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
IRF7484TRPBF MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
IRF7463TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
IRF7463TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 8mOhm 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7464 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7464PBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 730mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7464TR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7464TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 1.2A 730mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7465 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7465HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC